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NXP Semiconductors MRF6V12250HR5
发布日期:2024-01-10 17:43     点击次数:72

MRF6V12250HR5

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编号:

841-MRF6V12250HR5

制造商编号:

MRF6V12250HR5

制造商:

NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

客户编号:

说明:

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780H

数据表:

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¥-.--

总价:

¥-.--

封装:

整卷卷轴(请按50的倍数订购)

剪切带

eel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价

总价

剪切带/eel™ † 1 ¥3,165.469 ¥3,165.47 10 ¥3,046.4461 ¥30,464.46 25 ¥2,951.4131 ¥73,785.33 整卷卷轴(请按50的倍数订购) 50 ¥2,945.8874 ¥147,294.37

† ¥15.00 eel™费将被加上并在购物车计算。所有eel™订单均不可撤消和退回。 ↩

× 包装选择

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剪切带

产品从完整卷轴带切割成定制数量。


eel™ (添加 ¥15.00 卷轴费)

按照客户指定的数量切割产品卷轴。 所有 eel 订单均不可撤消和退回。


完整卷轴

订购数量必须与制造商的完整卷轴数量相符。 若要购买整个卷轴,请按50的倍数订购。


卷轴和剪切带

以完整卷轴和剪切带的组合订购产品。


卷轴和eel™ (添加 ¥15.00 卷轴费)

以整个卷轴和 eel™ 的组合方式订购产品。

特色产品

NXP

规格

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产品属性 属性值 选择属性 制造商: NXP 产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RoHS:  详细信息 晶体管极性: N-Channel 技术: Si Vds-漏源极击穿电压: 100 V 工作频率: 960 MHz to 1.215 GHz 增益: 20.3 dB 输出功率: 275 W 最大工作温度: + 150 C 安装风格: Flange Mount 封装 / 箱体: NI-780 封装: Reel 封装: Cut Tape 封装: eel 商标: NXP Semiconductors 配置: Single 产品类型: RF MOSFET Transistors 系列: MRF6V12250H 工厂包装数量: 工厂包装数量: 50 子类别: MOSFETs 类型: RF Power MOSFET Vgs - 栅极-源极电压: 10 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2.4 V 零件号别名: 935310098178 单位重量: 6.425 g

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产品合规性

CNHTS: 8541290000 CAHTS: 8541290000 USHTS: 8541290075 JPHTS: 8541290100 KRHTS: 8541299000 TARIC: 8541290000 MXHTS: 85412999 ECCN: EAR99

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